신청 기술 명칭
계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기의 제조 방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기
페이지 정보
작성일15-03-17 10:10-
- 출원번호
- 10-2011-0039970
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- 출원일자
- 2011년04월28일
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- 출원상태
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- 공개번호
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- 공고일자
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- 등록번호
- 10-1312335
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- 등록일자
- 2013년09월23일
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- 심사청구항수
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- IPC 분류
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- 발명자
- 문준혁|조창열
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- 출원인
- 서강대학교산학협력단
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- 대리인
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- 우선권
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- 우선권 주장일
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- 우선권 주장국
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- 지정국
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- 국제 출원 번호
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- 국제 공개 번호
대표 청구항
기재 상에 제 1 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 제 1 희생층을 형성하고;
상기 제 1 희생층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체를 주입하고;
상기 제 1 희생층을 제거함으로써 3차원으로 배열된 제 1 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하고;
상기 제 1 전이금속 산화물 구조체의 제 1 기공 내로 상기 제 1 고분자 콜로이드 입자보다 작은 크기를 가지는
제 2 고분자 콜로이드 입자를 주입하여 제 2 희생층을 형성하고;
상기 제 2 희생층 내로 제 2 전이금속 산화물 전구체를 주입하고; 및,
상기 제 2 희생층을 제거함으로써 상기 제 1 기공 내에 형성되며, 상기 제 1 기공의 크기보다 작은 3차원으로
배열된 제 2 기공을 가지는 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것:
을 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법.
상기 제 1 희생층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체를 주입하고;
상기 제 1 희생층을 제거함으로써 3차원으로 배열된 제 1 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하고;
상기 제 1 전이금속 산화물 구조체의 제 1 기공 내로 상기 제 1 고분자 콜로이드 입자보다 작은 크기를 가지는
제 2 고분자 콜로이드 입자를 주입하여 제 2 희생층을 형성하고;
상기 제 2 희생층 내로 제 2 전이금속 산화물 전구체를 주입하고; 및,
상기 제 2 희생층을 제거함으로써 상기 제 1 기공 내에 형성되며, 상기 제 1 기공의 크기보다 작은 3차원으로
배열된 제 2 기공을 가지는 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것:
을 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법.