기판;
상기 기판상에 형성된 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층; 및
상기 기판의 하면 및 상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층 상에 형성된 전극들을 포함하고,
상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에서 기공의 크기는 전류 밀도에 의해 조절되는 것이고, 상기
전류 밀도는 4.8 mA/㎠ ~ 6.5 mA/㎠이고, 상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에서 기공의 크기는
10 ~ 50 nm인 가스 센서.