신청 기술 명칭
인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법
페이지 정보
작성일15-03-17 17:32-
- 출원번호
- 10-2008-0072907
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- 출원일자
- 2008년07월25일
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- 출원상태
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- 공개번호
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- 공고일자
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- 등록번호
- 10-0978711
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- 등록일자
- 2010년08월23일
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- 심사청구항수
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- IPC 분류
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- 발명자
- 정귀상
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- 출원인
- 울산대학교 산학협력단
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- 대리인
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- 우선권
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- 우선권 주장일
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- 우선권 주장국
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- 지정국
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- 국제 출원 번호
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- 국제 공개 번호
대표 청구항
인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법에 있어서,
반응관 내부에 산화막이 증착된 Si(100)기판이 탑재되고, 상기 반응과 내부로 고순도의 아르곤(Ar)과 수소(H2)
를 캐리어가스로 사용하여 성장온도인 1100 ~ 1300℃까지 가열시키는 제1공정(S10)과;
상기 성장온도상태를 30분 동안 유지하면서 헥사메틸다이사이레인(HMDS: Hexamethyldisilane) 전구체와
질소(N2) 가스를 주입시켜 다결정 탄화규소 박막을 성장시키는 제2공정(S20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 인
시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법.
반응관 내부에 산화막이 증착된 Si(100)기판이 탑재되고, 상기 반응과 내부로 고순도의 아르곤(Ar)과 수소(H2)
를 캐리어가스로 사용하여 성장온도인 1100 ~ 1300℃까지 가열시키는 제1공정(S10)과;
상기 성장온도상태를 30분 동안 유지하면서 헥사메틸다이사이레인(HMDS: Hexamethyldisilane) 전구체와
질소(N2) 가스를 주입시켜 다결정 탄화규소 박막을 성장시키는 제2공정(S20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 인
시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법.
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