유연성 기판 위에 그래핀 옥사이드층(Graphite Oxide Layer)을 형성하는 그래핀 형성단계; 상기 그래핀 옥사이드 위에 패터닝된 마스크를 형성하는 마스크 형성단계; 상기 마스크 위에 금속을 증착시키는 금속 증착단계; 상기 마스크를 제거하는 마스크 제거단계; 상기 마스크가 제거된 상기 유연성 기판 위에 형성된 그래핀 옥사이드층을 환원하는 그래핀(Graphene) 환원단계;를 포함하되, 상기 그래핀 환원단계는; 펄스 레이저 노출(Pulsed Laser Exposure), RF 플라즈마 노출(RF Plasma Exposure) 및 전자빔 노출(E-Beam Exposure)중 어느 하나 이상의 물리적 방법을 사용하고, 이후 후속 열 처리(Thermal Annealing)로 상기 그래핀 옥사이드층을 환원(reduction)시켜 드레인 전극, 소오스 전극 및 채널층을 동일면에 일체로 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법.